EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF SILICON OVER STEPS OF THICK SIO2

被引：9

作者：

ZINGG, RP ^{[1
]}

NEUDECK, GW ^{[1
]}

HOEFFLINGER, B ^{[1
]}

LIU, ST ^{[1
]}

机构：

[1] HONEYWELL CSSL,PLYMOUTH,MN 55441

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2108852

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1274 / 1275

页数：2

共 4 条

BRADBURY, DR ;

KAMINS, TI ;

TSAO, CW .

[2] A 3-DIMENSIONAL CMOS DESIGN METHODOLOGY [J].

HOEFFLINGER, B ;

LIU, ST ;

VAJDIC, B .

[3] SOI BY CVD - EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELO) PROCESS - REVIEW [J].

JASTRZEBSKI, L .

[4] GROOVED GATE MOSFET [J].

NISHIMATSU, S ;

KAWAMOTO, Y ;

MASUDA, H ;

HORI, R ;

MINATO, O .