INITIAL TRANSIENT PHENOMENA IN THE PLASMA DECOMPOSITION OF SILANE

被引：15

作者：

NAKAYAMA, Y

OHTSUCHI, T

NAKANO, M

KAWAMURA, T

机构：

[1] Univ of Osaka Prefecture, Sakai, Jpn, Univ of Osaka Prefecture, Sakai, Jpn

来源：

关键词：

HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON - INITIAL TRANSIENT STATE OF PLASMA - PLASMA DECOMPOSITION OF SILANE;

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90770-7

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：757 / 760

页数：4

共 3 条

KAMPAS, FJ ;

GRIFFITH, RW .

NGUYEN, VS ;

PAN, PH .

TACHIBANA, K ;

NISHIDA, M ;

HARIMA, H ;

URANO, Y .