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ACCURATE BARRIER MODELING OF METAL AND SILICIDE CONTACTS
被引:12
作者
:
SHENAI, K
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SHENAI, K
SANGIORGI, E
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SANGIORGI, E
SARASWAT, KC
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SARASWAT, KC
SWANSON, RM
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SWANSON, RM
DUTTON, RW
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0
DUTTON, RW
机构
:
来源
:
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1984年
/ 5卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/EDL.1984.25864
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页数:3
相关论文
共 14 条
[11]
REDUCING EFFECTIVE HEIGHT OF A SCHOTTKY-BARRIER USING LOW-ENERGY ION-IMPLANTATION
[J].
SHANNON, JM
论文数:
0
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0
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0
机构:
MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND
MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND
SHANNON, JM
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1974,
24
(08)
:369
-371
[12]
SHENAI K, UNPUB IEEE T ELECTRO
[13]
SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO
[14]
REDISTRIBUTION OF IMPLANTED DOPANTS AFTER METAL-SILICIDE FORMATION
[J].
WITTMER, M
论文数:
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0
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0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
WITTMER, M
;
SEIDEL, TE
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0
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机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
SEIDEL, TE
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1978,
49
(12)
:5827
-5834
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共 14 条
[11]
REDUCING EFFECTIVE HEIGHT OF A SCHOTTKY-BARRIER USING LOW-ENERGY ION-IMPLANTATION
[J].
SHANNON, JM
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND
MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND
SHANNON, JM
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1974,
24
(08)
:369
-371
[12]
SHENAI K, UNPUB IEEE T ELECTRO
[13]
SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO
[14]
REDISTRIBUTION OF IMPLANTED DOPANTS AFTER METAL-SILICIDE FORMATION
[J].
WITTMER, M
论文数:
0
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0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
WITTMER, M
;
SEIDEL, TE
论文数:
0
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0
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0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
SEIDEL, TE
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1978,
49
(12)
:5827
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