DOPANT EFFECT ON INTRINSIC DIFFUSIVITY IN NICKEL SILICIDE

被引：7

作者：

TAKAI, H ^{[1
]}

TU, KN ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,DIV RES,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1988年 / 38卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.38.8121

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：8121 / 8130

页数：10

共 15 条

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