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DEPENDENCE OF THE AMBIPOLAR DIFFUSION IN SILICON ON THE CARRIER DENSITY

被引：5
作者：
BERGNER, H
BRUCKNER, V
机构：
来源：
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1983年 / 79卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1002/pssa.2210790159
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：K85 / K88
页数：4
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共 5 条
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