INNER-STRIPE ALGAAS/GAAS LASER DIODE BY SINGLE-STEP MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:9
作者
IMANAKA, K
IMAMOTO, H
SATO, F
ASAI, M
SHIMURA, M
机构
关键词
D O I
10.1049/el:19870147
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:209 / 210
页数:2
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