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INNER-STRIPE ALGAAS/GAAS LASER DIODE BY SINGLE-STEP MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引:9
作者
:
IMANAKA, K
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IMANAKA, K
IMAMOTO, H
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ASAI, M
SHIMURA, M
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SHIMURA, M
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1987年
/ 23卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19870147
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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