REDUCED PRESSURE SILICON EPITAXY - A REVIEW

被引：13

作者：

CULLEN, GW

CORBOY, JF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(84)90271-9

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：230 / 252

页数：23

共 41 条

[1] AUTODOPING PHENOMENA IN EPITAXIAL SILICON [J].

ACKERMANN, GK ;

EBERT, E .

[2]

BENZING WC, 1984, 9TH P INT C CVD, P373

[3]

BOSS DW, 1973, Patent No. 3765960

[4]

BRACKEN RC, 1967, ELECTROCHEM SOC, V16, P58

BRADSHAW, SE .

[6]

CORBOY JF, 1983, RCA REV, V44, P231

[7]

CORBOY JF, 1984, 9TH P INT C CHEM VAP, P434

[8]

CULLEN GW, 1983, RCA REV, V44, P187

[9]

CULLEN GW, 1983, 1983 P SEM EUR SEM P

[10]

DEINES JL, 1974, MAY M EL SOC SAN FRA, P161