DEGRADATION-FREE P-CVD SIN DEPOSITION ON GAAS-FETS

被引：11

作者：

YAMANE, Y ^{[1
]}

ISHII, Y ^{[1
]}

MIZUTANI, T ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.22.L350

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L350 / L352

页数：3

共 3 条

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