ENHANCED CARRIER LIFETIME AND DIFFUSION LENGTH IN GAAS BY STRAINED-LAYER MOCVD

被引：19

作者：

BENEKING, H

NAROZNY, P

ROENTGEN, P

YOSHIDA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26308

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：101 / 103

页数：3

共 12 条

BENEKING, H ;

NAROZNY, P ;

EMEIS, N .

[2]

BENEKING H, 1985, ESSDERC AACHEN

[3]

BENEKING H, 1985, ELECTRONIC MATERIALS

[4]

BENEKING H, 1985, INT S GAAS RELATED C, P12

[5]

EMEIS N, 1985, 2 SOTAPOCS TOR

[6] ORGANOMETALLIC VPE GROWTH OF INAS1-XSBX ON INAS [J].

FUKUI, T ;

HORIKOSHI, Y .

[7]

Lindmayer J., 1965, Fundamentals of Semiconductor Devices

[8]

NEUBERGER M, 1971, HDB ELECTRONIC MATER, V2

[9]

ROENTGEN P, 1985, INT S GAAS RELATED C, P12

[10]

ROTH W, 1983, MAT RES S P, V17, P291