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PHOTOEMISSION-STUDIES OF MOLECULAR-BEAM EPITAXIALLY GROWN GAAS (001) SURFACES EXPOSED TO A NITROGEN PLASMA
被引:52
作者
:
GOURRIER, S
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机构:
FOM,INST ATOM & MOLEC PHYS,1098 SJ AMSTERDAM,NETHERLANDS
GOURRIER, S
SMIT, L
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FOM,INST ATOM & MOLEC PHYS,1098 SJ AMSTERDAM,NETHERLANDS
SMIT, L
FRIEDEL, P
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FRIEDEL, P
LARSEN, PK
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机构:
FOM,INST ATOM & MOLEC PHYS,1098 SJ AMSTERDAM,NETHERLANDS
LARSEN, PK
机构
:
[1]
FOM,INST ATOM & MOLEC PHYS,1098 SJ AMSTERDAM,NETHERLANDS
[2]
PHILIPS RES LABS,5600 JA EINDHOVEN,NETHERLANDS
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1983年
/ 54卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.332578
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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