BREAKDOWN VOLTAGE OF PLANAR SILICON JUNCTIONS

被引：42

作者：

LEISTIKO, O

GROVE, AS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(66)90034-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：847 / &

共 8 条

[1]

Armstrong H. L., 1957, IRE T ELECTRON DEV, VED-4, P15

[2]

GIBBONS G, 1965, IEEE T ELECTRON DEVI, VED12, P193

GOETZBERGER, A ;

SCARLETT, RM ;

HAITZ, RH ;

MCDONALD, B .

KENNEDY, DP ;

OBRIEN, RR .

[5]

KEONJIAN E, 1963, MICROELECTRONICS, pCH5

[6] IONIZATION RATES FOR HOLES AND ELECTRONS IN SILICON [J].

MILLER, SL .

PHYSICAL REVIEW, 1957, 105 (04) :1246-1249

[7]

MOORE GE, 1963, MICROELECTRONICS, pCH5

SZE, SM ;

GIBBONS, G .