CHARACTERIZATION OF SCHOTTKY-BARRIER DIODES BY MEANS OF MODULATION TECHNIQUE

被引：12

作者：

KUNZE, U ^{[1
]}

KOWALSKY, W ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV BRUNSWICK, INST HOCHFREQUENZTECH, D-3300 BRUNSWICK, FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.341121

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1597 / 1606

页数：10

共 37 条

SZE, SM ;

CROWELL, CR ;

KAHNG, D .

[32]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO

[33] ALKALINE-METALS-SILICON SCHOTTKY BARRIERS [J].

SZYDLO, N ;

POIRIER, R .

[34] LOW SCHOTTKY-BARRIER OF RARE-EARTH SILICIDE ON N-SI [J].

TU, KN ;

THOMPSON, RD ;

TSAUR, BY .

WILKINSON, JM ;

WILCOCK, JD ;

BRINSON, ME .

[36]

WOLF EL, 1985, PRINCIPLES ELECTRON

[37] SURFACE EFFECTS ON METAL-SILICON CONTACTS [J].

YU, AYC ;

SNOW, EH .