RADIATION-HARDENED N-CHANNEL MOSFET ACHIEVED BY A COMBINATION OF POLYSILICON SIDEWALL AND SIMOX TECHNOLOGY

被引：9

作者：

OHNO, T

IZUMI, K

SHIMAYA, M

SHIONO, N

机构：

[1] NTT Electrical Communications Lab, Atsugi, Jpn, NTT Electrical Communications Lab, Atsugi, Jpn

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860381

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：559 / 560

页数：2

共 5 条

DAVIS, GE ;

HUGHES, HL ;

KAMINS, TI .

HUGHES, GW ;

POWELL, RJ .

[3] SIMOX TECHNOLOGY AND ITS APPLICATION TO CMOS LSIS [J].

IZUMI, K ;

OMURA, Y ;

SAKAI, T .

IZUMI, K ;

DOKEN, M ;

ARIYOSHI, H .

NAKASHIMA, S ;

AKIYA, M ;

KATO, K .