ETCH SELECTIVITY OF SILICON DIOXIDE OVER TITANIUM SILICIDE USING CF4/H2 REACTIVE ION ETCHING

被引：5

作者：

JASO, MA

ROBEY, SW

OEHRLEIN, GS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096554

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：3812 / 3815

页数：4

共 7 条

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EPHRATH, LM ;

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