DEPENDENCE OF LOW-ENERGY ION-BEAM EXPOSURE EFFECTS IN SILICON ON ION SPECIES, EXPOSURE HISTORY, AND MATERIAL PROPERTIES

被引：10

作者：

DAVIS, RJ

CLIMENT, A

FONASH, SJ

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1985年 / 7-8卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(85)90478-1

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

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页码：831 / 835

页数：5

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