HIGH-TRANSCONDUCTANCE ENHANCEMENT-MODE GAAS-MESFET FABRICATION TECHNOLOGY

被引：9

作者：

ONUMA, T

TAMURA, A

UENOYAMA, T

TSUJII, H

NISHII, K

YAGITA, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25782

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：409 / 411

页数：3

共 5 条

[1] ION-IMPLANTED E/D-TYPE GAAS IC TECHNOLOGY [J].

FURUTSUKA, T ;

TSUJI, T ;

KATANO, F ;

HIGASHISAKA, A ;

KURUMADA, K .

SUYAMA, K ;

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FUKUTA, M .

[3]

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YAMASAKI, K ;

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