DEEP-LEVEL NITROGEN CENTERS IN LASER-ANNEALED ION-IMPLANTED SILICON

被引:113
作者
BROWER, KL
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1982年 / 26卷 / 11期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.26.6040
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:6040 / 6052
页数:13
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