PERTURBED ANGULAR-CORRELATION STUDIES OF DOPANT ATOM INTERACTIONS IN SILICON

被引：37

作者：

WICHERT, T ^{[1
]}

SWANSON, ML ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV N CAROLINA, DEPT PHYS & ASTRON, CHAPEL HILL, NC 27599 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.344188

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3026 / 3037

页数：12

共 65 条

WICHERT, T ;

DEICHER, M ;

GRUBEL, G ;

KELLER, R ;

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[No title captured]