DETERMINATION OF ENERGY-DISTRIBUTION OF INTERFACE TRAPS IN METAL NITRIDE OXIDE SILICON (MEMORY) DEVICES USING NON-STEADY-STATE TECHNIQUES

被引：25

作者：

URANWALA, JS ^{[1
]}

SIMMONS, JG ^{[1
]}

MAR, HA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TORONTO,DEPT ELECT ENGN,TORONTO M5S 1A4,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(76)90073-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：375 / 380

页数：6

共 7 条

MAR, HA ;

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