DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS BY SILANE-HYDRAZINE PROCESS

被引：32

作者：

YOSHIOKA, S

TAKAYANA.S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426791

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：962 / &

共 7 条

[1]

ADAMS GK, 1953, 4TH S INT COMB, P239

BOOKER, GR ;

BENJAMIN, CE .

[3] PREPARATION AND PROPERTIES OF PYROLYTIC SILICON NITRIDE [J].

DOO, VY ;

NICHOLS, DR ;

SILVEY, GA .

[4]

GRIECO MJ, 1966, OCT PHIL M SOC

[5] PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON NITRIDE FILMS [J].

HU, SM .

[6] CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION PROMOTED BY RF DISCHARGE [J].

STERLING, HF ;

SWANN, RCG .

[7]

SZWARC M, 1949, P ROY SOC LONDON, VA198, P267