ENHANCEMENT OF EMISSION INTENSITY IN INDIRECT-GAP ALXGA1-XAS (X=0.53) BY NITROGEN-ION IMPLANTATION

被引：12

作者：

MAKITA, Y ^{[1
]}

GONDA, SI ^{[1
]}

IJUIN, H ^{[1
]}

TSURUSHIMA, T ^{[1
]}

TANOUE, H ^{[1
]}

MAEKAWA, S ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTROTECH LAB,TOKYO,JAPAN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1976年 / 28卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.88657

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：103 / 105

页数：3

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共 6 条

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