ELECTRON-STATES AT ABRUPT METAL-GAAS(110) INTERFACES

被引：15

作者：

BOLMONT, D

CHEN, P

MERCIER, V

SEBENNE, CA

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 117卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90661-7

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：816 / 818

页数：3

共 7 条

[1] ROOM-TEMPERATURE FORMATION OF THE AG/GAAS (110) INTERFACE [J].

BOLMONT, D ;

CHEN, P ;

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SEBENNE, CA .

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BOLMONT, D ;

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PROIX, F .

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