248 NM LASER ETCHING OF GAAS IN CHLORINE AND OZONE GAS ENVIRONMENTS

被引:20
作者
KOREN, G [1 ]
HURST, JE [1 ]
机构
[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598
来源
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 1988年 / 45卷 / 04期
关键词
D O I
10.1007/BF00617935
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:301 / 304
页数:4
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