ELECTRONIC-PROPERTIES OF GA-DOPED AMORPHOUS-SILICON

被引：7

作者：

GROSS, V

GRUENINGEN, HW

NIEMANN, E

FISCHER, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(87)90151-7

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：643 / 646

页数：4

共 5 条

[1] INTERSTITIAL DOPING OF AMORPHOUS SILICON [J].

BEYER, W ;

FISCHER, R .

[2]

BEYER W, 1984, SEMICONDUCTORS SEM C, V21

[3] PREPARATION AND PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON [J].

CHITTICK, RC ;

ALEXANDE.JH ;

STERLING, HF .

KALBITZER, S ;

MULLER, G ;

LECOMBER, PG ;

SPEAR, WE .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, 1980, 41 (04) :439-456

[5] SUBSTITUTIONAL DOPING OF AMORPHOUS SILICON [J].

SPEAR, WE ;

LECOMBER, PG .