CONTROL OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT BY THIN HIGH-DOPED LAYER

被引：15

作者：

HARIU, T ^{[1
]}

SHIBATA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] TOHOKU UNIV,DEPT ELECTR ENGN,SENDAI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1975.9986

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1523 / 1524

页数：2

共 6 条

[1] HIGH-EFFICIENCY INP TRANSFERRED-ELECTRON OSCILLATORS [J].

COLLIVER, DJ ;

IRVING, LD ;

PATTISON, JE ;

REES, HD .

[2] SURFACE STATES AND BARRIER HEIGHT OF METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS [J].

COWLEY, AM ;

SZE, SM .

[3] WIDEBAND PERFORMANCE OF INJECTION-LIMITED GUNN DIODE [J].

HARIU, T ;

ONO, S ;

SHIBATA, Y .

HARIU, T ;

SHIBATA, Y .

[5] SCHOTTKY-BARRIER DEVICES WITH LOW BARRIER HEIGHT [J].

KAJIYAMA, K ;

SAKATA, S ;

MIZUSHIM.Y .

SHANNON, JM .