ELECTRONIC-STRUCTURE OF A STEPPED SILICON SURFACE

被引:23
作者
RAJAN, VT [1 ]
FALICOV, LM [1 ]
机构
[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT PHYS,BERKELEY,CA 94720
来源
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS | 1976年 / 9卷 / 13期
关键词
D O I
10.1088/0022-3719/9/13/013
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
收藏
页码:2533 / 2540
页数:8
相关论文
共 12 条