CARRIER LIFETIME REDUCTION BY ARGON IMPLANTATION INTO SILICON

被引：13

作者：

MOGROCAMPERO, A

LOVE, RP

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1984年 / 131卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115667

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：655 / 660

页数：6

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共 14 条

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