REACTIVE ION ETCHING OF GAAS USING BCL3

被引:29
作者
SONEK, GJ [1 ]
BALLANTYNE, JM [1 ]
机构
[1] CORNELL UNIV,SCH APPL & ENGN PHYS,ITHACA,NY 14853
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1984年 / 2卷 / 04期
关键词
D O I
10.1116/1.582857
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
21
引用
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页码:653 / 657
页数:5
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