IMPROVED LPE GROWTH METHOD FOR GAAS-GA1-XALXAS DOUBLE HETEROSTRUCTURES

被引：7

作者：

NISHITANI, Y ^{[1
]}

AKITA, K ^{[1
]}

KOMIYA, S ^{[1
]}

NAKAJIMA, K ^{[1
]}

YAMAGUCHI, A ^{[1
]}

UEDA, O ^{[1
]}

KOTANI, T ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(76)90185-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：279 / 284

页数：6

共 15 条

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