CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION DEPENDENCE OF TRANSITION LAYER AT MAGNETRON-SPUTTERED TA2O5/SI INTERFACE

被引：4

作者：

SEKI, S

UNAGAMI, T

KOGURE, O

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115320

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2457 / 2459

页数：3

共 7 条

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