LPE GROWTH EFFECTS OF INP, IN0.53GA0.47AS, AND IN0.75GA0.25AS0.55P0.45 ON STRUCTURED INP SUBSTRATES

被引：14

作者：

CHAND, N

SYRBU, AV

HOUSTON, PA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(83)90278-6

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：53 / 60

页数：8

共 15 条

[11]

SANGSTER RC, 1962, COMPOUND SEMICONDUCT, V1

[12] KINETIC ASPECTS IN VAPOR-PHASE EPITAXY OF III-V COMPOUNDS [J].

SHAW, DW .

[13]

SIROTA NN, 1968, SEMICONDUCTORS SEMIM, V4

TURLEY, SEH ;

GREENE, PD .

TURLEY, SEH ;

HENSHALL, GD ;

GREENE, PD ;

KNIGHT, VP ;

MOULE, DM ;

WHEELER, SA .