TEMPERATURE-DEPENDENCE OF CARRIER CONCENTRATION, RESISTIVITY, AND HALL-MOBILITY IN TE-DOPED IN1-XGAXP

被引：4

作者：

KATO, T ^{[1
]}

SHIMIZU, A ^{[1
]}

ISHIDA, T ^{[1
]}

机构：

[1] YAMANASHI UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR ENGN,KOFU 400,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.1669

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1669 / 1670

页数：2

共 4 条

HOLONYAK, N ;

NUESE, CJ ;

SIRKIS, MD ;

STILLMAN, GE .

[2] HALL-MOBILITY OF TE-DOPED IN1-XGAXP AT 300 K [J].

KATO, T ;

SHIMIZU, A ;

ISHIDA, T .

MACKSEY, HM ;

HOLONYAK, N ;

DUPUIS, RD ;

CAMPBELL, JC ;

ZACK, GW .

ONTON, A ;

LORENZ, MR ;

REUTER, W .