HEAVY-ION INDUCED PERMANENT DAMAGE IN MNOS GATE INSULATORS

被引：10

作者：

PICKEL, JC ^{[1
]}

BLANDFORD, JT ^{[1
]}

WASKIEWICZ, AE ^{[1
]}

STRAHAN, VH ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT CORP,ANAHEIM,CA 92803

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1985.4334089

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4176 / 4179

页数：4

共 6 条

[1] COSMIC-RAY INDUCED PERMANENT DAMAGE IN MNOS EAROMS [J].

BLANDFORD, JT ;

WASKIEWICZ, AE ;

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[2]

BLANDFORD JT, 1985, IEEE T NUCL SCI, V32

[3]

KOLASINSKI WA, 1985, COMMUNICATION MAR

[4] COSMIC-RAY-INDUCED ERRORS IN MOS DEVICES [J].

PICKEL, JC ;

BLANDFORD, JT .

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SANDERSON, TK ;

MAPPER, D ;

FARREN, J ;

HARBOESORENSEN, R ;

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[6]

Sze S. M., 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P402