CRYSTAL IMPERFECTIONS IN SILICON EPITAXIAL LAYERS GROWN ON ION-IMPLANTED SUBSTRATES

被引:3
作者
BAKER, JFC [1 ]
OGDEN, R [1 ]
机构
[1] PLESSEY CO LTD,ALLEN CLARK RES CTR,TOWCESTER,NORTHAMPTONSHIR,ENGLAND
关键词
D O I
10.1007/BF00541417
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:1259 / 1261
页数:3
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