C-V CHARACTERISTICS OF ION-IMPLANTED DEPLETION IGFETS AND BURIED CHANNEL CCDS

被引：16

作者：

TAYLOR, GW ^{[1
]}

机构：

[1] HONEYWELL INC,CTR SOLID STATE ELECTR,PLYMOUTH,MN 55441

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(76)90014-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：495 / 503

页数：9

共 11 条

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