ANTIPHASE DISORDER IN EPITAXIAL GAAS FILMS GROWN ON CAXSR1-XF2(100) WITH HIGHER CRYSTALLOGRAPHIC SYMMETRY

被引：10

作者：

TSUTSUI, K

ISHIWARA, H

FURUKAWA, S

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 49卷 / 25期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97221

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：1705 / 1707

页数：3

相关论文

共 13 条

[11] PROFILE AND GROOVE-DEPTH CONTROL IN GAAS DIFFRACTION GRATINGS FABRICATED BY PREFERENTIAL CHEMICAL ETCHING IN H2SO4-H2O2-H2O SYSTEM [J].

TSANG, WT ;

WANG, S .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1976, 28 (01) :44-46

[12] LATTICE MATCHING AT ELEVATED SUBSTRATE-TEMPERATURE FOR GROWTH OF GAAS FILMS WITH GOOD ELECTRICAL-PROPERTIES ON CAXSR1-XF2/GAAS (100) STRUCTURES [J].

TSUTSUI, K ;

ISHIWARA, H ;

FURUKAWA, S .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1986, 48 (09) :587-589

[13]

TSUTSUI K, 1986, I PHYS SER, V79, P109