PREPARATION OF GE/SI AND GE/GAAS HETEROJUNCTIONS

被引：17

作者：

RIBEN, AR

FEUCHT, DL

OLDHAM, WG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2423925

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：245 / &

共 18 条

[1] EXPERIMENTS ON GE-GAAS HETEROJUNCTIONS [J].

ANDERSON, RL .

[2]

CHU TL, 1963, METALLURGY ADVANCED, P209

GOBELI, GW ;

ALLEN, FG .

MARINACE, JC .

[5]

MARINACE JC, 1963, ELECTROCHEM TECHNOL, V1, P104

MENDELSON, S .

[7]

OLDHAM WG, 1963, J ELECTROCHEM SOC, V110, pC53

[8] INTERFACE STATES IN ABRUPT SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS [J].

OLDHAM, WG ;

MILNES, AG .

[9]

OLDHAM WG, 1963, AD412297 CARN I TECH

[10]

OLDHAM WG, 1963, THESIS CARNEGIE I TE