SILICON-NITRIDE STENCIL MASKS FOR HIGH-RESOLUTION ION LITHOGRAPHY PROXIMITY PRINTING

被引：26

作者：

RANDALL, JN

FLANDERS, DC

ECONOMOU, NP

DONNELLY, JP

BROMLEY, EI

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1983年 / 1卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.582655

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1152 / 1155

页数：4

共 6 条

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