INFRARED RAPID THERMAL ANNEALING OF SI-IMPLANTED GAAS

被引：51

作者：

KUZUHARA, M

KOHZU, H

TAKAYAMA, Y

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 41卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.93667

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：755 / 758

页数：4

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共 4 条

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