EFFECT OF RANDOMNESS IN DISTRIBUTION OF IMPURITY IONS ON FET THRESHOLDS IN INTEGRATED ELECTRONICS

被引：60

作者：

KEYES, RW ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1975.1050600

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：245 / 247

页数：3

共 4 条

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