NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN GAAS-MESFETS

被引：9

作者：

FJELDLY, TA

JOHANNESSEN, JS

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19830441

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：649 / 650

页数：2

相关论文

共 4 条

[1] IV CHARACTERISTICS OF GAAS-MESFET WITH NONUNIFORM DOPING PROFILE
SHUR, MS
EASTMAN, LF
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1980, 27 (02) : 455 - 461
[2] ANALYTICAL MODEL OF GAAS MESFETS
SHUR, MS
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1978, 25 (06) : 612 - 618
[3] WILLING HA, 1977, ELECTRON LETT, V18, P537
[4] 2-DIMENSIONAL NUMERICAL-ANALYSIS OF STABILITY-CRITERIA OF GAAS FETS
YAMAGUCHI, K
ASAI, S
KODERA, H
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1976, 23 (12) : 1283 - 1290