IMPACT IONIZATION AND QUANTUM EFFICIENCY IN SILICON

被引：13

作者：

HODGKINSON, RJ

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON | 1963年 / 82卷 / 525期

关键词：

D O I：

10.1088/0370-1328/82/1/308

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：58 / +

页数：1

共 27 条

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