CARRIER CONCENTRATION IN MODULATION-DOPED ALGAAS-GAAS HETEROSTRUCTURES

被引：10

作者：

WEIMANN, G

SCHLAPP, W

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 1985年 / 37卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00617498

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：139 / 143

页数：5

共 7 条

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