EXCITATION SPECTRUM OF BISMUTH DONORS IN SILICON

被引:51
作者
BUTLER, NR [1 ]
FISHER, P [1 ]
RAMDAS, AK [1 ]
机构
[1] PURDUE UNIV,DEPT PHYS,W LAFAYETTE,IN 47907
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1975年 / 12卷 / 08期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.12.3200
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:3200 / 3209
页数:10
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