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CHEMICAL ETCHING OF INGAASP/INP DH WAFER
被引:54
作者
:
ADACHI, S
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ADACHI, S
NOGUCHI, Y
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NOGUCHI, Y
KAWAGUCHI, H
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KAWAGUCHI, H
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1982年
/ 129卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2124014
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:1053 / 1062
页数:10
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HIGH-EFFICIENCY STRIPE-GEOMETRY INGAASP DH LASERS (LAMBDA = 1.3 MU-M) WITH CHEMICALLY-ETCHED MIRRORS
WRIGHT, PD
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WRIGHT, PD
NELSON, RJ
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NELSON, RJ
[J].
ELECTRON DEVICE LETTERS,
1980,
1
(11):
: 242
-
243
[42]
INGAASP DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS (LAMBDA=1.3MU-M) WITH ETCHED REFLECTORS
WRIGHT, PD
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1980,
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HIGH-EFFICIENCY STRIPE-GEOMETRY INGAASP DH LASERS (LAMBDA = 1.3 MU-M) WITH CHEMICALLY-ETCHED MIRRORS
WRIGHT, PD
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ELECTRON DEVICE LETTERS,
1980,
1
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INGAASP DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS (LAMBDA=1.3MU-M) WITH ETCHED REFLECTORS
WRIGHT, PD
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WRIGHT, PD
NELSON, RJ
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CELLA, T
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