INVESTIGATION OF ION-IMPLANTED SEMICONDUCTORS BY ELLIPSOMETRY AND BACKSCATTERING SPECTROMETRY

被引:24
作者
FRIED, M
LOHNER, T
JAROLI, E
VIZKELETHY, G
MEZEY, G
GYULAI, J
SOMOGYI, M
KERKOW, H
机构
[1] HUNGARIAN ACAD SCI,TECH PHYS RES INST,H-1325 BUDAPEST,HUNGARY
[2] HUMBOLDT UNIV,BEREICH 06,SEKT PHYS,DDR-1040 BERLIN,GER DEM REP
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(84)90423-1
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页数:8
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