HIGH-PERFORMANCE ALGAAS/GAAS MODFETS WITH IMPROVED OHMIC CONTACTS

被引:17
作者
JONES, WL [1 ]
EASTMAN, LF [1 ]
机构
[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1986.22556
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:712 / 716
页数:5
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