GROWTH AND DISSOLUTION OF THIN ANODIC LAYERS ON GAAS - A PHOTOELECTROCHEMICAL STUDY

被引:25
作者
DECKER, F [1 ]
机构
[1] MAX PLANCK GESELL,FRITZ HABER INST,D-1000 BERLIN 33,FED REP GER
关键词
D O I
10.1016/0013-4686(85)80187-0
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
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页数:4
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