GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GAAS/GE EPILAYERS GROWN ON SI SUBSTRATES BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：69

作者：

SHELDON, P

YACOBI, BG

JONES, KM

DUNLAVY, DJ

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1985年 / 58卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.335551

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：4186 / 4193

页数：8

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