GIGAHERTZ LOGIC GATES BASED ON INP-MISFETS WITH MINIMAL DRAIN CURRENT DRIFT

被引：14

作者：

PANDE, KP ^{[1
]}

FATHIMULLA, MA ^{[1
]}

GUTIERREZ, D ^{[1
]}

MESSICK, L ^{[1
]}

机构：

[1] USN,CTR OCEAN SYST,DIV ELECTR MAT SCI,SAN DIEGO,CA 92152

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26418

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：407 / 409

页数：3

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共 13 条

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